报告题目：器件电磁环境效应研究
报告人：方文啸研究员
报告时间：2021年11月16日（周二）9:30—11:00
报告地点：南海图书馆电影厅（负一楼B110）
邀请人：韩鹏
报告内容：
随着器件的高频高速、高集成化，以集成电路为代表的器件所引起的电磁环境效应越来越受到电子工程行业的关注。本报告首先介绍集成电路电磁环境效应领域的背景、发展历史，并分享本团队近年（十三五期间）在器件电磁环境效应测试方法（尤其是近场电磁发射探测技术、电磁抗扰测试技术）上的研究工作进展和典型应用。
专家简介：
方文啸，博士，研究员，国家级重点实验室技术团队总师，研究室主任，从事元器件、板级、装备电磁兼容前沿技术研究，主持及参与军民课题累计30余项，发表SCI论文43篇，授权专利31个，曾获国防科技创新团队奖（2019）、中国电子信息科技创新团队奖（2019）及国防科技进步一等奖（2018）。现为广东省科技厅入库专家， 新能源汽车国家创新中心汽车芯片标准EMC工作组组长, 多个IEEE杂志审稿人；培养硕博士多名
